超赫科技率先推出GaN HEMT on SiC功率元件實測崩潰電壓突破1800V

超赫科技推出GaN HEMT on SiC功率元件，實測崩潰電壓突破1,800V。超赫

台灣IC設計新創公司超赫科技股份有限公司(Ultraband Technologies, Inc.)宣布，其自行研發的GaN HEMT on SiC功率元件已成功實測達到1800V崩潰電壓，展現卓越的電壓承受能力與高效能潛力，未來更有望持續突破極限，實現更高崩潰電壓等級，提升產品應用廣度與深度。

作為目前全球少數投入資源，並採用GaN HEMT on SiC平台開發功率元件的公司，超赫科技於4年前即展現超前部署與前瞻眼光，搶先市場一步投入研發，並從元件物理、磊晶材料與結構及製造流程著手優化元件。因超赫科技GaN HEMT on SiC功率元件具多項優勢，有望全面改寫電力電子產品規格。

技術優勢：超越現有平台的性能表現

與傳統的GaN HEMT on Si功率元件相比，GaN HEMT on SiC功率元件因SiC基板之故，具有較優越的散熱性能，且可承受遠比市售快充產品更高的功率，可大幅縮短充電時間。

若與一般SiC功率元件相比，GaN HEMT on SiC功率元件可實現更高的切換頻率，降低切換損耗，且模組可更輕薄短小，此外散熱效果也更好，更重要的是可達到更高的崩潰電壓。

前瞻布局　搶攻高效率電源應用市場

超赫科技的功率元件包含D-mode與E-mode設計，目標應用涵蓋多元市場，舉例來說，若應用在電動車OBC（On-Board Charger），則可符合輕薄短小的設計需求；若使用在AI伺服器電源系統，則可提供高效率、低損耗的電源轉換解決方案；若運用在其他消費性電子產品，如筆記型電腦電源適配器與高功率快充充電器，可支援比市售產品更高的輸出能力，大幅縮短充電時間。

規模經濟逐步成形　國際大廠開始跟進

儘管早期市場對GaN HEMT on SiC成本有所疑慮，但隨著市場需求成長與製程技術成熟，成本可望逐步降低，擴大市場接受度。超赫科技秉持「技術創新、前瞻布局」核心理念，持續深耕寬能隙功率半導體領域，致力於為全球提供更快速、更高效、更節能的電力解決方案。

超赫科技參與COMPUTEX TAIPEI 2025 歡迎各界蒞臨指導

超赫科技將於2025年5月20日至23日參展亞洲規模最大的資訊與通訊技術盛會—COMPUTEX TAIPEI 2025【南港展覽館一館／攤位編號：K1221】，將首度公開全新一代產品，並現場展示整合應用，誠摯邀請業界先進、媒體朋友與對尖端科技有興趣的各界人士蒞臨交流指導。